I-Today - Hôm qua, IBM và trường đại học Stanford đã công bố một kế hoạch hợp tác nghiên cứu về Xoay điện (spintronics), một công nghệ trong tương lai có thể khiến cho máy tính hoặc camera số hoạt động ngay khi có nguồn điện chạy vào.

Trung tâm Khoa học Xoay điện học và ứng dụng sẽ được đặt tại Cơ sở nghiên cứu Almaden của IBM tại San Jose, California. Về mặt thuật ngữ, xoay điện là một khái niệm xuất phát từ ý niệm các hạt electron chuyển động vòng tròn. Xoay điện sẽ làm ''xoay tròn'� từ trường do một tấm phim mỏng phát ra. Từ trường này tạo ra sự cách điện với mức độ cao thấp được đánh giá theo thang điểm từ 0 đến 1. Với việc kiểm soát từ trường và thể hiện các mức độ kháng điện lên thành vô số điểm khác nhau trên phim, các nhà nghiên cứu có thể tiếp cận được với dữ liệu số.

Xoay điện học đã được nhắc tới từ nhiều năm trước, khi IBM sản xuất những đầu đọc đĩa sử dụng công nghệ kháng đại từ trường (GMR) vào năm 1997. Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên từ trường (MRAM) có thể trở thành lĩnh vực kế tiếp mà xoay điện học chinh phục. Trên lý thuyết, MRAM có thể lưu trữ một khối lượng lớn dữ liệu, tiêu hao ít năng lượng, hoạt động ở tốc độ vượt trội so với các loại bộ nhớ động thông thường, và đặc biệt nhất, có thể tồn tại vĩnh viễn.

Việc tìm kiếm một sự thay thế cho công nghệ flash động hiện đang sử dụng trong điện thoại di động, card nhớ trong camera kỹ thuật số và các thiết bị điện tử cùng loại đang ngày một trở nên cấp thiết đối với ngành công nghiệp bán dẫn. Nhu cầu dành cho công nghệ flash đang gia tăng với tốc độ cực nhanh. Tuy nhiên, công nghệ cơ bản nằm sau flash rất khó phát triển và cải tiến, chính vì thế, gần như tất cả các hãng sản xuất lớn đều đang tiến hành nghiên cứu thử nghiệm các công nghệ thay thế.

Mặc dù vậy, các đối thủ và cả những người phê phán MRAM vẫn nói rằng công nghệ này còn xa mới xứng tầm ''kế nhiệm'' công nghệ đàn anh của nó. MRAM không phải là sản phẩm phổ biến, và IBM phải chứng tỏ được họ có thể sản xuất hàng loạt công nghệ này với giá thành chấp nhận được. Intel còn nói rằng kích thước bộ nhớ quá lớn, khiến cho việc cài đặt chúng trong các thiết bị nhỏ như máy ảnh số rất khó khăn. Những người khác thì nói rằng sự thay đổi về khả năng kháng điện quá ''nhạy cảm'' và có thể phá hỏng dữ liệu.

Tháng sáu năm ngoái, IBM và Infineon đã công bố một thông cáo mô tả cách thức sản xuất một con chip MRAM bằng quy trình sản xuất 180 nanomet với khả năng lưu trữ 128 kilobit dữ liệu. Vào thời điểm đó, cả hai hãng cùng hứa sẽ trưng bày MRAM hoàn chỉnh vào đầu năm 2004, đồng thời dự đoán rằng MRAM có thể bắt đầu đưa vào sản xuất hàng loạt từ năm 2005.

Xa hơn nữa, nguyên lý xoay điện học còn cho phép thay đổi tự động trạng thái bật/tắt của một số dạng transistor. Người đại diện của Intel bình luận rằng đây là một trong những lĩnh vực triển vọng cho các cuộc nghiên cứu lâu dài, song khó lòng có thể đi vào sản xuất thương mại trước năm 2021.

Cầm Thi - Theo New York Times