221
2083
Thế giới số
thegioiso
/cntt/thegioiso/
465814
IBM, Infineon ''dạm ngõ'' RAM từ tính
1
Article
2081
CNTT - Viễn thông
cntt
/cntt/
IBM, Infineon ''dạm ngõ'' RAM từ tính
,
IBM và Infineon sẽ kết hợp giới thiệu một bản thuyết trình trong tuần này, nhấn mạnh về khả năng làm thế nào để Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên từ tính hay RAM từ tính (Magnetic Random Access Memory), một trong những ứng cử viên hàng đầu thay thế cho bộ nhớ flash trong ĐTDĐ, có thể sẵn sàng được đưa ra thị trường vào năm 2005.

Ram từ tính (MRAM) kết hợp các nguyên lý công nghệ từ cả của thế giới từ tính - nền tảng của nền công nghiệp ổ cứng - và sản xuất silicon. Trong MRAM, một từ trường siêu nhỏ được tạo ra bên trong một ô bộ nhớ trên một con chip. Máy tính sau đó sẽ đo điện trở được tạo ra bởi từ trường tại bất kỳ thời điểm cho trước nào để xác định xem một ô nhớ sẽ được đọc là ''1'' hay ''0'', được gọi là các khối dữ liệu nhị phân.

Bộ nhớ flash thông thường, cơ sở chính cho việc lưu trữ dữ liệu trên điện thoại, cũng hoạt động bằng cách biểu diễn các mức độ điện trở khác nhau, nhưng nó cần một lượng điện đáng kể để chuyển giữa các trạng thái ''1'' và ''0''. Lý tưởng hơn, MRAM sẽ sử dụng ít năng lượng hơn và lưu dữ liệu nhanh hơn so với bộ nhớ flash hiện nay.

Trong khi IBM đã trình làng các mạch MRAM từ trước, các dữ liệu công nghệ mới này - sẽ được trình bày tại Hội nghị thống nhất quy mô lớn (Very Large Scale Integration (VLSI) Symposium) được tổ chức trong tuần này tại Kyoto, Nhật Bản, cho thấy các chip MRAM có khả năng sản xuất hàng loạt, theo lời ông Randy Isaac, Phó Chủ tịch các liên minh chiến lược của bộ phận IBM Technology. Loại chip nhớ này theo mô tả trong bản thuyết trình, được chế tạo trên quy trình công nghệ 180-nanometer, đã được sử dụng trong quá trình sản xuất hàng loạt từ năm 1999 và lưu trữ 128 kilobit dữ liệu.

Intel, Advanced Micro Devices và các đại gia khác cũng sẽ trình bày các bản thuyết trình tại hội thảo này, một trong những cuộc hội thảo nghiên cứu bán dẫn thường niên lớn.

Mặc dù những người bình thường không thể nhận ra sự khác biệt giữa một phần triệu giây và một phần tỷ giây, khoảng cách này sẽ tạo ra vô số sự khác biệt cho các nhà sản xuất điện thoại di động trong tương lai. Với sự xuất hiện của các loại ĐTDĐ video và hình ảnh, khả năng quay chụp và lưu một lượng lớn dữ liệu trên máy sẽ trở nên cấp thiết hơn rất nhiều.

Bộ nhớ Flash, có thể lưu dữ liệu ngay cả khi máy tính tắt điện, đang lâm vào cuộc khủng hoảng ''nửa đời ngang trái''. Công nghệ này là một thành phần cần thiết cho các máy PDA (máy hỗ trợ cá nhân kỹ thuật số), thiết bị viễn thông, hầu hết các máy nghe nhạc MP3 nhỏ và ĐTDĐ. Tuy nhiên, các nhà sản xuất bán dẫn cho biết họ đang gặp phải khó khăn ngày càng gia tăng trong việc thu nhỏ kích thước của các loại chip này, một nhân tố có thể giảm đáng kể lợi nhuận trong việc kiếm lời từ việc chế tạo bộ nhớ flash.

Kết quả là các nhà sản xuất chip đã chắp vá với các lựa chọn khác như bộ nhớ kết hợp Ovonics (Ovonics Unified Memory), bộ nhớ được sản xuất cho các sản phẩm như các đĩa CD; bộ nhớ Silicon Nanocrystals (tinh thể nano Silicon), dùng để thay thế lớp cứng bên trong các chip với một lưới tinh thể; và đáng chú ý nhất là MRAM.

Bình Minh - Theo CNET

 

,
Ý kiến của bạn
Ý kiến bạn đọc
,
,
,
,