Samsung Electronics, hãng đi đầu thế giới về công nghệ bộ nhớ, tuyên bố đã bắt đầu đưa vào sản xuất đại trà bộ nhớ DRAM 512 MB dành cho các thiết bị di động, sử dụng con chip 90 nanomet.

Đây là lần đầu tiên bộ nhớ DRAM di động 512 MB bước ra khỏi phòng thí nghiệm và cũng là lần đầu tiên công nghệ chế tạo nano được đưa vào áp dụng trong việc sản xuất DRAM di động.

Để xử lý hình ảnh đồ họa 3D, các thiết bị di động đòi hỏi độ rộng băng thông rất cao. DRAM 512 MB của Samsung sẽ cho phép truyền dữ liệu với độ rộng 32-bit và xử lý dữ liệu ở tốc độ 1,3 GB/giây - nhờ đó cải thiện đáng kể khả năng hiển thị hình ảnh phức tạp trên điện thoại.

Trong trường hợp 2 DRAM 512 MB được gộp chung với nhau, Samsung sẽ có thể tạo ra những thiết bị di động với dung lượng bộ nhớ lên tới 1GB.

Chưa hết, DRAM sản xuất theo công nghệ Nano còn có thể tiết kiệm tới 50% năng lượng tiêu hao so với bộ nhớ SDRAM thông thường.

Theo dữ liệu từ Dataquest, số lượng điện thoại bán ra trên toàn thế giới sẽ tăng với tốc độ trung bình 9%/năm, từ nay cho đến hết năm 2010. Nhu cầu về DRAM di động, trong khi đó, sẽ tăng vọt với tốc độ khủng khiếp 114% mỗi năm, cho phép ta dự đoán bộ nhớ di động của vài năm tới sẽ có dung lượng cao gấp nhiều lần so với hiện nay.

Sản phẩm DRAM mới sẽ giúp Samsung tiếp tục củng cố vị trí dẫn đầu của hãng trong việc sản xuất những công nghệ bộ nhớ thế hệ mới. Tháng trước, hãng này đã phát triển thành công bộ nhớ GDDR4 (đồ họa tốc độ gấp đôi thế hệ thứ 4) đầu tiên trên thế giới.

Thiên Ý (Theo Phonemag)